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Hohe Mobilität und Quantenbrunnentransistoren: Design und TCAD-Simulation von Geert -
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Artikelmerkmale
- Artikelzustand
- ISBN-13
- 9789400795693
- Book Title
- High Mobility and Quantum Well Transistors
- ISBN
- 9789400795693
- Series
- Springer Series in Advanced Microelectronics Ser.
- Publication Year
- 2015
- Type
- Textbook
- Format
- Trade Paperback
- Language
- English
- Publication Name
- High Mobility and Quantum Well Transistors : Design and Tcad Simulation
- Item Length
- 9.3in
- Publisher
- Springer Netherlands
- Item Width
- 6.1in
- Item Weight
- 89.1 Oz
- Number of Pages
- Xviii, 140 Pages
Über dieses Produkt
Product Information
List of Abbreviations and Symbols. 1 Introduction. 1.1 Transistor Scaling. 1.2 What's Next? (2010 - ...). 1.3 Goals of the Book. 1.4 Organization of the Book. 2 S/D Junctions in Ge: experimental. 2.1 Introduction. 2.2 P-type Junctions. 2.3 N-Type Junctions. 2.4 Benchmarking. 2.5 Summary and Conclusions. 3 TCAD Simulation and Modeling of Ion Implants in Germanium. 3.1 Introduction. 3.2 Ion Implant into Germanium - Monte Carlo Simulations. 3.3 Ion Implant into Germanium - Analytical Description. 3.4 Application to a 70 nm Bulk Ge pFET Technology. 3.5 Summary and Conclusions. 4 Electrical TCAD Simulations and Modeling in Germanium. 4.1 Introduction. 4.2 TCAD Models for a Germanium pMOSFET technology. 4.3 Electrical TCAD simulations - 65 nm Ge pMOSFET Technology. 4.4 Impact of Interface Traps MOS Performance. 4.5 Summary and Conclusions. 5 Investigation of Quantum Well Transistors for Scaled Technologies. 5.1 Introduction. 5.2 Motivation - Scalability Issues in Bulk MOSFET Technologies. 5.3 Towards A Scalable Transistor Architecture. 5.4 High Electron Mobility Transistors: an Alternative Approach. 5.5 Operation of Heterostructure Transistors: Analytical Description. 5.6 Conclusions. 6 Implant-Free Quantum Well FETs: Experimental investigation. 6.1 Introduction. 6.2 First-Generation SiGe Implant-Free Quantum Well pFET. 6.3 Enhancing Performance in SiGe IFQW pFETs. 6.4 Second-generation Strained SiGe IFQW pFETs. 6.5 Matching Performance and VT -Tuning in IFQW pFETs. 6.6 SiGe Quantum Well Diffusion Study. 6.7 Conclusions. 7 Conclusions Future Work and Outlook. 7.1 Conclusions. 7.2 Future Work and Outlook. Bibliography. List of Publications.
Product Identifiers
Publisher
Springer Netherlands
ISBN-10
9400795696
ISBN-13
9789400795693
eBay Product ID (ePID)
211949713
Product Key Features
Publication Name
High Mobility and Quantum Well Transistors : Design and Tcad Simulation
Format
Trade Paperback
Language
English
Series
Springer Series in Advanced Microelectronics Ser.
Publication Year
2015
Type
Textbook
Number of Pages
Xviii, 140 Pages
Dimensions
Item Length
9.3in
Item Width
6.1in
Item Weight
89.1 Oz
Additional Product Features
Series Volume Number
42
Number of Volumes
1 Vol.
Lc Classification Number
Tk7867-7867.5
Table of Content
List of Abbreviations and Symbols.- 1 Introduction.- 2 S/D Junctions in Ge: experimental.- 3 TCAD Simulation and Modeling of Ion Implants in Germanium.- 4 Electrical TCAD Simulations and Modeling in Germanium.- 5 Investigation of Quantum Well Transistors for Scaled Technologies.- 6 Implant-Free Quantum Well FETs: Experimental investigation.- 7 Conclusions Future Work and Outlook.- Bibliography.- List of Publications.
Copyright Date
2013
Topic
Physics / Quantum Theory, Physics / Condensed Matter, Electronics / Microelectronics, Electronics / Circuits / General, Materials Science / Electronic Materials, Electronics / Transistors
Dewey Decimal
621.381528
Intended Audience
Scholarly & Professional
Dewey Edition
23
Illustrated
Yes
Genre
Technology & Engineering, Science
Artikelbeschreibung des Verkäufers
Rechtliche Informationen des Verkäufers
Premier Books LLC
David Taylor
26C Trolley Sq
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