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Quartär abgedeckt in (Ga)as/GaAs Quantenpunkt Infrarot Fotodet... - 9789811052897-
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Artikelmerkmale
- Artikelzustand
- Book Title
- Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodete...
- ISBN
- 9789811052897
- Publication Year
- 2017
- Type
- Textbook
- Format
- Hardcover
- Language
- English
- Publication Name
- Quaternary Capped In (Ga) As/Gaas Quantum Dot Infrared Photodetectors: from Materials to Devices
- Item Height
- 235mm
- Publisher
- Springer Verlag, Singapore
- Item Width
- 155mm
- Item Weight
- 299g
- Number of Pages
- 63 Pages
Über dieses Produkt
Product Information
This book introduces some alternative methods for enhancing the performance of In(Ga)As/GaAs-based quantum dot infrared photodetectors (QDIPs). In(Ga)As/GaAs-based QDIPs and focal plane array (FPA) cameras have wide application in fields such as military and space science. The core of the study uses a combination of quaternary In0.21Al0.21Ga0.58As and GaAs spacer as a capping layer on In(Ga)As/GaAs quantum dots in the active region of the detector structure. For the purposes of optimization, three types of samples growths are considered with different capping thicknesses. The results presented include TEM, XRD and photoluminescence studies that compare combination barrier thickness and its effect on structural and optical properties. Compressive strain within the heterostructure, thermal stability in high temperature annealing, spectral response, shifts in PL peaks peak,and responsivity and detectivity are all considered. The results also present a narrow spectral width that was obtained by using InAs QDs which is very useful for third generation FPA camera application. The book details effect of post-growth rapid thermal annealing on device characteristics and methods to enhance responsivity and peak detectivity. The contents of this book will be useful to researchers and professionals alike.
Product Identifiers
Publisher
Springer Verlag, Singapore
ISBN-13
9789811052897
eBay Product ID (ePID)
238744096
Product Key Features
Publication Name
Quaternary Capped In (Ga) As/Gaas Quantum Dot Infrared Photodetectors: from Materials to Devices
Format
Hardcover
Language
English
Publication Year
2017
Type
Textbook
Number of Pages
63 Pages
Dimensions
Item Height
235mm
Item Width
155mm
Item Weight
299g
Additional Product Features
Country/Region of Manufacture
Singapore
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Rechtliche Informationen des Verkäufers
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